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｜来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。                                            ｜
｜    “在90nm CMOS工艺中，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线，超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增 ｜
｜加到近20种，对薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。”赵曦说。                                                        ｜
｜    薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。由于薄膜是芯片结构的功能材料层，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄｜
｜膜的技术参数直接影响芯片性能。                                                                                        ｜
｜    “生产中不仅需要在成膜后检测薄膜厚度、均匀性、光学系数、机械应力及颗粒度等性能指标，还需要在完成晶圆生产流程及芯片｜
｜封装后对最终芯片产品进行可靠性和生命周期测试，以衡量薄膜沉积设备是否最终满足技术标准。”赵曦表示，下游客户对薄膜沉积设｜
｜备技术要求高，新兴厂商就需要具备绝对的技术能力来获取客户信任。                                                        ｜
｜    近年来，拓荆科技不断强化技术研发，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化｜
｜的核心技术。其中，薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术不仅解决了半导体制｜
｜造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时｜
｜，提升了客户产线产能，减少客户产线生产成本。                                                                          ｜
｜    助力产业链发展                                                                                                    ｜
｜    拓荆科技聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。据了解，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大｜
｜主设备之一，投资规模占晶圆制造设备总投资的25%。                                                                       ｜
｜    经过十多年的技术积累，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17｜
｜nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求｜
｜。                                                                                                                    ｜
｜    其中，公司PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，｜
｜并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，行业地位不断提升。                                               ｜